Das Verfahren der industriellen Plasma-Oberflächentechnik dient vorwiegend zur Veränderung der Oberflächentopographie mittels gezieltem Abtrag von Schichten im Nanometer- bzw. Mikrometerbereich in der Elektronik- und Halbleiterindustrie. Das angegebene Parameter-Fenster stellt typische Betriebszustände dar. Prozesse mit kürzerer Behandlungsdauer, bei höherem Druck und anderen Temperaturen sind grundsätzlich möglich.
Druck | 0,1 – 100 Pa |
Temperatur | 20 – 200 °C |
Behandlungsdauer | Minuten |
Plasmaanregung | Gepulster Gleichstrom (kHz) Wechselstrom: - Mittelfrequenz (kHz) - Hochfrequenz (MHz) - Mikrowellen (GHz) |