ist eine Variante des PVD-Verfahrens. Zerstäubung des Targets durch hochenergetische Teilchen typischerweise mit Energien im Bereich keV. Die aus dem Target herausgelösten Teilchen schlagen sich am Substrat nieder und bilden die Schicht. Es ist die Erzeugung dichter, glatter Schichten möglich. Die Anwendungsbereiche liegen in der Mikroelektronik, Optik und Werkzeugbeschichtung.