ist ein Herstellungsverfahren für Leiterplatten, bei dem von einem im Vergleich zur Subtraktivtechnik etwas dünner kupferkaschiertem Basismaterial ausgegangen wird (Schichtdicke des Kupfers etwa 5 µm gegenüber 20–25 µm bei der Subtraktivtechnik). Nach der Durchkontaktierung bringt man selektiv mittels Sieb- oder Fotodruck einen Resist auf. Die nicht vom Resist bedeckten Stellen werden mit Kupfer galvanisch verstärkt. Der Resist wird danach entfernt (gestrippt) und beim anschließenden Ätzen des Kupfers wird die dünne Kaschierung vollständig abgetragen.