Rasterelektronenmikroskopie

Rasterelektronenmikroskopie

Verfahren zur mäßigen bis stark vergrößerten, meist auch tiefenscharfen Abbildung von Objekten mit Hilfe von Elektronenstrahlen. Ein Rasterelektronenmikroskop (REM) besteht aus einer Hochvakuumkammer, einer Elektronenquelle zur Erzeugung des Elektronenstrahls, einer Hochspannung zur Beschleunigung der Elektronen, Elektronenlinsen zum Fokussieren des Strahls mit Ablenkungseinheit zum Rastern des Strahls und Detektoren, die die Probensignale auffangen (Rückstreuelektronen, Sekundärelektronen, Röntgenstrahlen usw.). Mittels REM kann die Oberfläche mit hoher Vergrößerung nach Besputtern mit einer leitenden Schicht abgebildet werden. Ein Elektronenstrahl rastert die Oberfläche ab; die entstehenden Sekundärelektronen werden über einen Detektor zur Bildverarbeitung benutzt. Auflösungen bis 10 nm der Oberflächentopographie im Sekundärelektronenbild sind möglich. Bei Rückstreuelektronen erhält man Informationen über den Materialkontrast.

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