das Ionenstrahlätzen (Ion Beam Etching) gehört zu den Trockenätzverfahren. Im Unterschied zum Ionenätzen werden die reaktiven Teilchen in einer separaten Ionenquelle bereitgestellt und durch ein Beschleunigungsgitter in die Ätzkammer extrahiert. Der Druck in beiden Teilen der Anlage ist durch eine Druckschleuse entkoppelt, so dass mittlere Ätzraten von ca. 1000Å/min auch bei geringem Arbeitsdruck p ≈ 10-4 mbar möglich sind. Das physikalische Ionenstrahlätzen mit Edelgasionen ist stark anisotrop aber nicht selektiv. Es wird zur Mikrostrukturierung elektrischer Schaltungen eingesetzt, Ionenstrahlverfahren mit einem selektiven Ätzprozess arbeiten mit einem Reaktivgas (Reactive Ion Beam Etching, RIBE).