Rastertunnelmikroskop

Hiermit lassen sich Oberflächenstrukturen im Bereich einzelner Atome nachweisen. Dabei wird eine feine Wolframspitze so nah an die Oberfläche positioniert, dass aufgrund des Tunneleffekts Elektronen zwischen den beiden Materialien übertreten können. Nach Erreichen eines bestimmten „Tunnelstroms“ wird die Spitze durch einen Servomechanismus von außen her angehoben und lateral weiter bewegt. Auf diese Weise kann die Elektronendichteverteilung der Probenoberfläche und damit die Position einzelner Atome abgebildet werden.