Plasma-CVD

Das Verfahren der industriellen Plasma-Oberflächentechnik wird zur Erzeugung von einige Mikrometer dicken Schichten durch plasmachemische Reaktionen (chemical vapour deposition) von Gasen oder den Dämpfen von Flüssigkeiten oder verdampfbarer Feststoffe, eingesetzt. Diese Schichten können z.B. aus den Elementen Ti, Al, C, N, O, einzeln oder kombiniert bestehen. Eine Kombination mit einigen Verfahren zur Plasma-Diffusion und Plasma-Wärmebehandlung ist möglich. Plasma- CVD dient der Verbesserung des Verschleiß- und Korrosionsschutzes hochbelasteter Bauteile aus Stahl, anderen Metallen oder Keramiken aus den Bereichen Maschinen-, Fahrzeug-, Flugzeug- und Werkzeugbau. Plasma-CVD wird auch in der Elektronikindustrie zur Herstellung von Bauteilen eingesetzt.

Das angegebene Parameter-Fenster stellt typische Betriebszustände dar. Prozesse mit kürzerer Behandlungsdauer, bei höherem Druck und anderen Temperaturen sind grundsätzlich möglich.

Druck

0,1 – 500 Pa

Temperatur

100 – 600 °C

Behandlungsdauer

Minuten bis Stunden

Plasmaanregung

Gepulster Gleichstrom

Wechselstrom: - Mittelfrequenz (kHz)

- Hochfrequenz (MHz)

- Mikrowellen (GHz)