Plasma-Ätzen

Das Verfahren der industriellen Plasma-Oberflächentechnik dient vorwiegend zur Veränderung der Oberflächentopographie mittels gezieltem Abtrag von Schichten im Nanometer- bzw. Mikrometerbereich in der Elektronik- und Halbleiterindustrie. Das angegebene Parameter-Fenster stellt typische Betriebszustände dar. Prozesse mit kürzerer Behandlungsdauer, bei höherem Druck und anderen Temperaturen sind grundsätzlich möglich.

Druck

0,1 – 100 Pa

Temperatur

20 – 200 °C

Behandlungsdauer

Minuten

Plasmaanregung

Gepulster Gleichstrom (kHz)

Wechselstrom: - Mittelfrequenz (kHz)

- Hochfrequenz (MHz)

- Mikrowellen (GHz)