PECVD (PACVD)

(Plasma Enhanced CVD, Plasma Assisted CVD)

Ziel dieser Variante des CVD-Verfahrens ist es, die Prozesstemperatur weiter zu senken. Durch Anlegen eines hochfrequenten elektrischen Feldes kann ein Plasmaeffekt erzeugt werden. Bei der Abscheidung von Si3N4 wird bei einer Leistung von 100 W und einer Frequenz von 13,56 MHz die Temperatur von 800 °C auf ca. 360 °C abgesenkt. Die Beschichtungsanlage besteht aus folgenden Hauptelementen:

● Vakuumkammer mit dem Elektrodensystem zur Erzeugung der Glimmentladung und dem Gasverteilungssystem

● System zur Herstellung und Dosierung des Gasgemisches

● Vakuumpumpstand

● mikroprozessorgesteuerter Hochfrequenzgenerator