ISFET

(ionensensitiver Feldeffekttransistor) ist ein Halbleiterbauelement, das im Prinzip einen Feldeffekttransistor (FET) ohne metallischen Gate-Anschluss darstellt. Die freiliegende Gateoberfläche aus Tantalpentoxid hat direkten Kontakt zur Messlösung. Das Gatepotential setzt sich zusammen aus dem Potential einer in die Messlösung eintauchenden Bezugselektrode und sämtlichen Potentialdifferenzen, die im Elektrolyten oder an Grenzflächen auftreten. Der ISFET kann zur Bestimmung des pH-Werts und aufgrund seiner kleinen Abmessungen zur Messung örtlicher Stromdichten bzw. Potentiale eingesetzt werden.