Ionenätzen

ist ein Trockenätzverfahren, das vor allem in der Elektronik zur Herstellung hochintegrierter Schaltungen oder in der Optik zur Bearbeitung von Laserspiegeln eingesetzt wird. Wie beim Kathodenzerstäuben zerstäuben Ionen eines Prozessgases die Oberfläche der Substrate und reinigen diese. Die meist nichtleitenden Substrate erhalten durch Anlegen einer Hochfrequenzeine negative Biasspannung. Der typische Prozessdruck beträgt 10-3 bis 10-4 mbar. Die Ätzrate beträgt <250Å /min. Eine Steigerung der Ätzrate gelingt durch Einsatz eines Magnetfeldes. Beim Ätzen von Silizium werden reaktive Prozessgase eingesetzt z.B. fluorhaltige Kohlenwasserstoffe. Die Verfahren unterscheiden sich vom Ionenstrahlätzen dadurch, dass beim letzteren Verfahren die Quelle, Beschleunigung und Fokussierung der Ionen vom Ätzraum getrennt ist.