ICBD

Ionenclusterstrahl-Abscheidung (Ion Cluster Beam Deposition). Ionencluster sind Konglomerate aus tausenden von Atomen; sie tragen eine Einfachladung. Beim Auftreffen auf dem Substrat werden diese in ihre Einzelteile zertrümmert. Die Energie des Clusters verteilt sich dann auf seine Einzelatome. Es entsteht ein hoher Partikelstrom an der Oberfläche und damit eine hohe Auftragsrate. Durch Erhitzen des Quellenmaterials entsteht im Vergleich zum Hochvakuum-Außenraum ein Überdruck (10-1 - 10-2 mbar). Das Gas strömt durch die Düse und kühlt nach der adiabatischen Expansion ab. Dabei bilden sich neutrale Atom-Cluster. Unter Elektronenbeschuss wird ein Teil der neutralen Cluster ionisiert und von einem elektrischen Feld auf einige keV zum Substrat beschleunigt. Die unterschiedlichen Energien aufgrund der Ladungszustände aktivieren dieOberflächenwanderung und sorgen für eine Desorption von Kontaminationen auf der Substratoberfläche. Die mit dieser Methode erzeugten Filme sind frei von mechanischen Spannungen und zeigen Eigenschaften, die dem kompakten Material entsprechen. Auch ist es möglich, mit dieser Technik bei Temperaturen bis 50 °C herab relativ defektfreie Schichten zu erhalten.